UESL系列是以高速用途的电源完整性、信号完整性为目标生产的。由于超低ESL（等效串联电感）和出色的高频特性，最适合电源去耦和高速数字IC的旁路用途。此外，以超薄型（85μm以下）为特点的UESL系列，可以实现严格限制高度的先进组装技术（处理器封装、BGA的局域网端、嵌入式封装等）。依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），实现了对于DC电压和温度的高稳定性，因此UESL电容器无需考虑去耦。
例如：
-UESL 0404 450nF的有效静电容量等同于X5R MLCC的1μF。
-UESL 0402M 180nF的有效静电容量等同于X5R MLCC的400μF。
特点
- 超薄型85μm
- ESR和ESL极低
- 稳定性很高
- 低漏电流
- 采用无铅的NiAu镀层，也能利用自动焊接技术回流，或者进行人工作业。也能根据要求提供其他电极。
（详情见本公司的封装应用说明）
用途
- 适合高速IC的电源完整性
- 抑制电源噪声
- 电源分配网络的去耦
- 嵌入式电压调节器的旁路
- 高速接口的信号完整性
- 抑制高频噪声
- 用于智能手机的应用处理器、电源线的去耦
- 要求超薄型的所有用途
UESL系列规格
(*) 也能根据客户要求支持其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 规格值因产品而异