村田的高密度硅电容器，通过应用半导体的MOS工艺实现三维化，大幅增加电容器表面积，从而提高了基板单位面积的静电容量。
村田的高密度硅电容器适用的细分市场有：网络相关（RF功率放大器、宽带通信）、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。
适用于光通信系统的超宽频电容
在村田众多硅电容器产品系列中，XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列是支持最高到100GHz+的表面贴装型硅电容器，以光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为隔直、耦合用途设计的。
依靠村田的半导体（硅）技术[＊见段后注释]实现了低插入损耗、低反射、高相位稳定性。支持的频率范围，最低为16kHz，XBSC最高为100+GHz，UBSC最高为60+GHz，BBSC最高为40GHz，ULSC最高为20GHz。具有极高的可靠性，以及随电压和温度变化极高的静电容量稳定性（0.1%/V，60 ppm/K）。
* 注：Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）
此外，硅电容器实现了-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温固化处理形成高纯度氧化膜，能够完全控制，确保高度的可靠性和再现性。
特点 ：
最高110GHz的超宽频性能
没有共振，超低群延迟变动
极佳传输阻抗匹配实现超低插损
在旁路接地模式下，超低ESL和ESR
随温度电压变化及老化下，静电容量稳定性很高
高可靠性
可以进行无铅回流焊
用途 ：
光电产品／高速数据
跨阻放大器（TIA）
光收发组件（ROSA/TOSA）
同步光纤网络（SONET）
高速数字逻辑
宽带测试装置
宽带微波／毫米波
X7R与NP0电容器的置换
薄型用途（400或100μm）
在深圳举办的第21届中国国际光电博览会（CIOE2019）上，村田出展了XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列硅电容器产品及相关应用。
村田表面封装硅电容器3D模型
村田展台现场展示的产品还包括：
应用于TOSA&ROSA的集成宽频RC的硅基板方案
小型化
耐高温 （125℃ ）
BOM精简
高可靠性
总成本削减
村田客户定制硅电容器产品
打线退耦电容 WLSC/ UWSC系列
数据中心线缆管理用RFID
低ESR
低ESL
小尺寸大容量（0101， 1nF）
适合打线的完美的电极平坦度
宽温度范围内高可靠性
村田引线键合用上下电极硅电容器产品
来源：Murata中国