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英飞凌将推出全新的天线调谐开关
继BGSA147ML10成功推向市场之后,英飞凌将推出全新的天线调谐开关,进一步增强其创新型天线调谐器的产品阵容。
1 天 25 分钟
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天线调谐器
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英飞凌
重大突破!清华大学集成电路学院首次实现亚1纳米栅长晶体管
近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。
1 天 32 分钟
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晶体管
高性能与低功耗兼得,佰维ePOP芯片为智能穿戴设备创新赋能
佰维E100系列ePOP芯片集成eMMC 5.1和LPDDR3,尺寸仅为10mmx10mm,其最大顺序读写速度分别为310MB/s、240MB/s,LPDDR频率最高为933MHz
1 天 48 分钟
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佰维
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ePOP
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E100
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智能穿戴设备
汽车用3端子低ESL片状多层陶瓷电容器有哪些特点?
你知道为什么村田NFM系列三端子MLCC更适用于汽车(传动设备)应用呢?汽车(传动设备)用3端子低ESL片状多层陶瓷电容器有哪些特性?
1 天 6 小时
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陶瓷电容器
电源额定值与测量技术的使用
正在学习电子学的人似乎常常对电源的额定值感到困惑。在我认为一个典型的交流/直流壁挂式电源应该有准确的输出电流值打印在标签之前,曾和一些人聊过这个问题。
1 天 6 小时
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电源额定值
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测量技术
2025年第三代功率半导体产值将达47.1亿美元
据TrendForce集邦咨询研究推估,第三代功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元,至2025年将成长至47.1亿美元,年复合成长率达48%。
1 天 6 小时
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功率半导体
GaN 技术的过去和现在
本书提供了牢固的 GaN 基础知识。它着眼于技术和 GaN 实现的驱动因素,以帮助您了解普及 GaN 的益处。它还调查了目前各行各业使用 GaN 的成熟和前沿应用。
2 天 27 分钟
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GaN
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氮化镓晶体管
通过采用使用了硅材料的WLCSP,将MEMS谐振器内置到IC,能带来哪些优势?
通过采用使用了硅材料的WLCSP,使MEMS谐振器与相同材料的半导体IC芯片在安装时具有很高的兼容性,可以内置到IC中。这样的MEMS谐振器有哪些特点和优势呢?村田技术白皮书“超小的MEMS谐振器”给你答案
2 天 2 小时
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WLCSP
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MEMS谐振器
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制,并进一步指出为了避免寄生导通,在选取MOSFET时应遵循什么准则。
2 天 5 小时
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MOSFET
四种接近传感器PK,谁能胜出?
主流接近传感器技术有多种,每种技术都有非常不同的工作标准,在确定检测、距离或接近方面有着不同的优势。本文概要性介绍了紧凑、固定的嵌入式系统的四种可能方案及其基本工作原理,以帮助工程师根据自己的设计要求确定选择哪一种。
2 天 5 小时
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接近传感器
英飞凌推出EiceDRIVER™ F3增强型系列栅极驱动器
EiceDRIVER F3增强型系列栅极驱动器采用爬电距离为8mm的DSO 16 300 mil宽体封装。这款单路隔离栅极驱动器具有高达300 kV/us的超高共模瞬态抗扰度(CMTI),以及高达8.5 A的典型输出电流。
2 天 5 小时
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英飞凌
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EiceDRIVER
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栅极驱动器
领跑5G 三菱电机发售“50Gbps DFB激光器”新品
50Gbps DFB激光器能够在宽工作温度范围(-40℃至+90℃)内实现高速运行(50Gbps),并确保了小型光收发器的规格兼容性。与以往25Gbps的产品相比,该产品传输速度可达到2倍
3 天 1 小时
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三菱电机
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激光器
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5G
思特威重磅推出首颗基于22nm工艺制程50MP超高分辨率图像传感器新品
新品采用先进的22nm HKMG Stack工艺制程,搭载思特威SmartClarity®-2成像技术,以及SFCPixel®与PixGain HDR®专利技术,拥有出色的成像性能。
3 天 2 小时
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思特威
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图像传感器
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SC550XS
一种稳定固态锂离子电池界面的方法开启了新的可能性
在无休止地寻求在不增加电池重量或体积的情况下将更多能量装入电池的过程中,一种特别有前途的技术是固态电池。在这些电池中,通常在电极之间来回携带电荷的液体电解质被固体电解质层所取代
3 天 6 小时
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锂离子电池
可穿戴设备,助力医疗保健行业高质量发展
在这里,我们将探讨可穿戴设备如何提供长期有效的解决方案,来为医护人员提供所需的患者基本数据。
3 天 6 小时
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可穿戴设备
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医疗保健
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