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使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（VDS）峰值和长振铃期，它们会产生电磁干扰，尤其是在电流大时。

启方半导体为工作电压在8V至150V之间的功率器件提供0.18微米BCD工艺。特别是100V或150V级别的高压功率器件，这些器件适合用来提高智能手机或笔记本电脑中电池充电IC的性能。

本文将简要介绍反激式电源中对初级钳位电路的需求。然后比较和对比无源钳位方案、互补有源钳位方案以及非互补有源钳位方案的使用，最后介绍一款支持非互补钳位方案且可实现超高功率密度反激电源设计的芯片组。

3 周 27 分钟 以前 | 电源设计, 反激式电源

微控制器发展至今，随着市场需求的不断变化，每年都会带来新的设计和支持方面的创新，但回归本身还是离不开上述的五个基本要素。

3 周 44 分钟 以前 | 微控制器

该晶体管是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有6GHz以下频段。这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的宏基站。

这款高频装置内建自举式二极管，能够在半桥配置中驱动两个通常用于控制马达及 DC-DC 电力传输的 N 通道 MOSFET。可锁定无线电动工具、电动自行车和自动操作机器人设备等高功率产品应用项目

3 周 5 小时 以前 | DGD0579U, Diode, 栅极驱动器

在未来ADAS和AD车辆中，传感器主要有三种模式，分别是图像传感器、雷达和LiDAR。本文旨在帮助理清的根本性辩论：哪种波长将在汽车LiDAR应用中占据主导地位？

3 周 23 小时 以前 | LiDAR, 传感器

集成了AS7343传感器的色度计、便携式光谱仪和消费设备将“如虎添翼”，在颜色匹配、照明控制、光谱分析等方面功能更加强大，实现“快、准、稳”的感知与测量。

这些器件提供了低偏置下的宽带高线性度特性，从而提高了宽带线性度水平（在5dB时三阶互调低于-32dBc；在2:1带宽上从饱和功率回退8dB时则低于-42dBc）。

3 周 1 天 以前 | vwin彩票app , 晶体管

DF2B6M4BSL的总电容仅为0.15pF（最大值），是东芝当前所能提供的最小电容，较东芝的现有产品DF2B6M4ASL降低了大约25%。

3 周 1 天 以前 | TVS二极管, ESD, DF2B6M4BSL

什么是运算放大器输入失调电压？本文让你秒懂！

650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3，随着技术的发展，元胞宽度持续减小，比导通电阻持续降低，器件性能超越Si器件，浪涌电流、短路能力、栅氧可靠性等可靠性问题备受关注

3 周 1 天 以前 | 碳化硅, MOSFET

我们着眼于超智能社会的到来、就村田制作所的作用以及对实现可持续发展社会的贡献采访了村田制作所代表董事社长中岛规巨。

3 周 1 天 以前 | 村田

该像素尺寸基于豪威集团的PureCel® Plus-S堆叠技术，同时采用了深光电二极管技术将光电二极管精确地嵌入硅片深处。凭借这些先进的技术，豪威集团开发出了超小像素尺寸，在相同的光学格式下可以实现更高的分辨率

该系列以1210的外壳尺寸（1.25 x 1.0 x 0.5 mm）为汽车高速差分传输信号线路提供了噪声控制功能，并将于2022年2月开始量产。

3 周 2 天 以前 | TDK, 共模滤波器, KCZ1210DH