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ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制

EcoGaN™第一波产品“GNE10xxTB系列”将有助于基站和数据中心等应用实现更低功耗和小型化

3 周 5 天 以前 | ROHM, GNE10xxTB, EcoGaN

新产品利用高精度积层技术，优化了制造工艺和工艺设计，实现了电容范围内4.7±0.57 ㎊的窄公差，具有强大的抗高达25㎸的电压ESD的能力。

Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。

3 周 6 天 以前 | 电热模型, Nexperia, MOSFET

本集团的2021年全年总收益约为132.5百万港元，较去年同期约96.3百万港元，上升37.6%。

RAC20E-K/277的一个特点是具有OVC III过压等级，可在2000m海拔运行（OVC II则为5000m），并且具有-40°C至+90°C的宽工作温度范围（降额）

3 周 6 天 以前 | AC/DC转换器, Recom

该互连解决方案采用外形紧凑的连接器，能够满足高密度设计要求，可用于多种不同用途，包括前面板可插拔IO与主机芯片之间的直接跨接电缆，以及内部芯片间的互连。

3 周 6 天 以前 | PAM4, 电缆, 连接器

本次新厂房的建设目的是构建可应对多层陶瓷电容器中长期需求增加的体制。

新IC的效率高达98.3%，在无需散热片的情况下可提供高达240W的输出功率，并可实现优于0.98的功率因数。

4 周 20 小时 以前 | HiperPFS-5, 氮化镓开关

新系列元件尺寸紧凑，仅为12.7 x 15.8 x 11.5 mm（宽x长x高），具有-55 °C至+165 °C的宽泛工作温度范围，满足RoHS指令要求并获得AEC-Q200标准认证。

4 周 21 小时 以前 | 功率电感器, PCM120T

DZDH0401DW 控制器驱动 P 信道 MOSFET 来仿真理想二极管，在高达 40V 的系统中提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘。

4 周 1 天 以前 | 理想二极管, DZDH0401DW

目前，可穿戴智能手表手环产品用户所关心的众多问题中，电池续航问题排在所有问题的首位，功耗是一个系统级的问题。为了更好的满足可穿戴产品超低功耗的需求，微源半导体近期发布了一款专门针对可穿戴设备低功耗应用需求的LDO – LP3991。

这两款器件均采用超薄的InSOP™-24封装。相较于分立方案设计，这种高集成度的高效架构无需使用散热片，并且可减少高达40%的元件数量。

4 周 1 天 以前 | HiperLCS-2, LLC变换器

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

4 周 1 天 以前 | 碳化硅, SiC

近日，安富利发布了一项针对全球工程师的调查，以调查工程师如何应对全球芯片短缺、更长的交货时间以及工程师的设计选款和应用，发生哪些改变。

1个月 13 小时 以前 | 芯片短缺

该系列模块特别适用于恶劣的电气环境如EV充电器，具有OVC III过压等级，可在海拔2000m运行，工作温度范围为-40至+90°C。

1个月 15 小时 以前 | Recom, AC/DC电源