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目前，可穿戴智能手表手环产品用户所关心的众多问题中，电池续航问题排在所有问题的首位，功耗是一个系统级的问题。为了更好的满足可穿戴产品超低功耗的需求，微源半导体近期发布了一款专门针对可穿戴设备低功耗应用需求的LDO – LP3991。

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

该系列模块特别适用于恶劣的电气环境如EV充电器，具有OVC III过压等级，可在海拔2000m运行，工作温度范围为-40至+90°C。

关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护

没有比这更真实的词了——这也是我们从一开始就坚持的，推动 Matter 标准前进的方式。汇集大量最聪明、最优秀的人才，以一种我们行业前所未见的方式和动力来构建一些东西。

Teledyne e2v的DDR4s存储容量为4G字节，尺寸仅为15mm x 20mm x 1.92mm，其存储密度远高于竞争对手的解决方案——仅占PCB基板面的一半，体积几乎减少了一个数量级。