IGBT和MOSFET该用谁?你选对了吗?
judy -- 周五, 03/04/2022 - 14:53在实际应用中,工程师们都会遇到一个相同的困惑:器件的选型着实令人头疼。对此,小编感同身受。今天,我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点,在选型时应着重查看哪些参数。
在实际应用中,工程师们都会遇到一个相同的困惑:器件的选型着实令人头疼。对此,小编感同身受。今天,我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点,在选型时应着重查看哪些参数。
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间,简化电路设计。
作者: 赵佳,英飞凌工业半导体
为了大大减少开通损耗,英飞凌为TRENCHSTOP™ 5系列的器件引入了TO-247 4pin封装。这种封装多了一个额外的发射极引脚,称为开尔文发射极,专门用于驱动回路。