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英飞凌推出全新车规级高压IGBT EDT2, 大幅提升电动汽车分立器件逆变器性能

judy-- 周二, 04/26/2022 - 15:39

英飞凌推出了采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT，该器件符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101，能大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。

judy-- 周五, 04/22/2022 - 15:56

此次新发售的2kV工业LV100封装T系列IGBT模块是为DC1500V电力变换器设计的2kV耐压产品，主要可用于几百千瓦到几兆瓦级的大容量系统，以满足可再生能源的供电需求。

judy-- 周二, 04/19/2022 - 11:36

IGBT是一种电压驱动的电子开关，正常情况下只要给15V电压就可以饱和导通，实际器件的驱动是给栅极端口电容充放电，还是需要电流的。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻，电流取决于栅极电荷，但我们一般讲的是峰值电流。

judy-- 周四, 04/14/2022 - 15:04

本文以功率循环曲线为例介绍如何正确理解IGBT厂家给出的功率循环曲线。

judy-- 周五, 03/04/2022 - 14:53

在实际应用中，工程师们都会遇到一个相同的困惑：器件的选型着实令人头疼。对此，小编感同身受。今天，我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点，在选型时应着重查看哪些参数。

judy-- 周二, 02/15/2022 - 14:24

意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。

judy-- 周四, 02/10/2022 - 14:22

作者：赵佳，英飞凌工业半导体

judy-- 周三, 01/19/2022 - 15:25

为了大大减少开通损耗，英飞凌为TRENCHSTOP™ 5系列的器件引入了TO-247 4pin封装。这种封装多了一个额外的发射极引脚，称为开尔文发射极，专门用于驱动回路。