MOSFET

这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。

相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生二极管续流

RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%，有助于减少元器件数量并简化设计

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大

新产品采用融入了ROHM自有IC工艺的晶圆级芯片尺寸封装*2DSN1006-3，在实现小型化的同时还降低了功耗

电器中配电、上电排序和电源状态转换都需要负载开关，它可以减小待机模式下的漏电流，抑制浪涌电流，实现断电控制

本文介绍了 TOLT 的封装方案、热性能和电路板的可靠性。