X-FAB

新的单光子雪崩二极管（SPAD）器件可使得整个近红外（NIR）波段的灵敏度均得到加强，关键波长850纳米和905纳米的灵敏度分别提高40%和35%。

XA035基于350纳米工艺节点，非常适合制造车用传感器和高压工业设备

基于XIPD平台，可制造出具有更高性能特征的全集成高质量无源元件，从而满足对更紧凑RF/EMI滤波器、匹配网络、平衡器和耦合器的需求。

通过转移到较低的工艺节点，X-FAB XT011产品的标准单元库密度达到其成熟的XT018 180纳米BCD-on-SOI半导体平台的两倍

近年来，受到全球半导体产能短缺、新冠疫情以及季节性需求等因素的影响，存储器件的价格呈现出较大的波动态势。

X-FAB的XT018工艺BOX/DTI功能可以将芯片上的组成功能模块相互隔离，适用于需要与数字模块去耦合的敏感模拟模块，或必须与高压驱动电路隔离的低噪声放大器。