晶体管

IMEC:2022年晶体管规模已经达到1000亿个

比利时微电子中心IMEC公布了一张很有趣的路线图,对比了1970年到现在2022年的52年间中,处理器芯片的晶体管密度变化

科学家在工程晶体中获重大突破:可让计算机以更低功率运行

加州大学伯克利分校的工程师们描述了在晶体管--构成计算机构件的微小电子开关--的设计中的一项重大突破,它可以在不牺牲速度、尺寸或性能的情况下大大降低其能源消耗。该元件被称为闸极氧化层,其在晶体管的开关中起着关键作用。

重大突破!清华大学集成电路学院首次实现亚1纳米栅长晶体管

近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。

一键解锁!晶体管结构工艺发展历程

从人工智能(AI)到5G、物联网(IoT)、再到自动驾驶汽车,半导体不知不觉已经成为第四次工业革命时代的核心技术之一。随着半导体技术的先进化和复杂化,半导体工艺也在快速发展。

利用 HEMT 和 PHEMT 改善无线通信电路中的增益、速度和噪声

用于无线通信放大器和转换器的有源器件需要具备高增益、高速度和低噪声的特点。当用于放大器和转换器的元件表现出这些增强的特性时,系统的性能会自动提升。

Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管

这些器件提供了低偏置下的宽带高线性度特性,从而提高了宽带线性度水平(在5dB时三阶互调低于-32dBc;在2:1带宽上从饱和功率回退8dB时则低于-42dBc)。

双极结型晶体管——MOSFET的挑战者

数字开关通常使用MOSFET来创建,但是对于低饱和电压的开关模型,双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用,它们不仅可以提供出色的电流放大效果,还具有成本优势。

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