电子创新元件网 - 齐纳二极管 - 德赢平台,德赢ac米兰官方区域合作伙伴 //www.jhzyg.net/tag/%E9%BD%90%E7%BA%B3%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1 zh-hans 了解有关齐纳二极管的基础知识 //www.jhzyg.net/content/2022/100558239.html <!-- This file is not used by Drupal core, which uses theme functions instead. See http://api.drupal.org/api/function/theme_field/7 for details. After copying this file to your theme's folder and customizing it, remove this HTML comment. --> <div class="field field-name-body field-type-text-with-summary field-label-hidden"> <div class="field-items"> <div class="field-item even"><p><font color="#FF8000">作者:Reza Behtash</font></p> <p>齐纳二极管是电子电路的一个基本构建模块,其作用是在达到特定反向电压(常称为齐纳电压)时允许大量电流反向流动。达到或超过此反向击穿电压后,齐纳二极管便以恒定基准电压运行。齐纳二极管常用来产生稳定电压,可广泛用于需要将电压钳制在或保持在某个限值以下的各种应用。齐纳二极管的另一重要应用领域是钳制不必要的过电压以保护MOSFET。</p> <p><strong>齐纳效应和雪崩效应</strong><br /> 电压不超过5 V时,在反向偏置结的耗尽区,电子从价带进入导电带形成电子贯穿,从而产生电击穿。一旦电场强度足够高,自由电荷载流子就会导致反向电流陡然增加。此效应由克拉伦斯·梅尔文·齐纳(Clarence Melvin Zener)于1934年首次发现,故以他的名字来命名此类二极管。</p> <p>如果电压超过5 V,另一种效应会变得更加显著。PN结的电场会使过渡区中的电子加速,产生电子空穴对。这些空穴会向负极移动并填上电子,而自由电子则向正极移动。不断移动的空穴和电子通过释放相邻的束缚电子,可以产生更多携带高场强的电荷载流子。电荷载流子大量产生的过程迅速发展成雪崩,因此如果超过特定的反向电压,就会有大量电流开始流动。<br /> </p><center><img src="//www.jhzyg.net/files/2022-03/wen_zhang_/100558239-244768-tu1qinaerjiguandei-vtexing.png" alt="" /></center> <p align="center"><strong>齐纳二极管的I-V特性</strong></p> <p><strong>电压容差</strong><br /> Nexperia针对1.8 V到75 V范围的多种不同电压制造了齐纳二极管,并在规定的反向电流下测试了保证容差。标准容差为B-selection ±2%和C-selection ±5%左右。为满足更高精度要求,Nexperia最近推出了A-selection齐纳二极管的广泛产品组合,容差为±1%。</p> <p>要全面了解齐纳二极管的更多信息,您可以下载并阅读应用笔记:AN90031齐纳二极管 - 物理基础知识、参数及应用示例。<br /> </p><center><img src="//www.jhzyg.net/files/2022-03/wen_zhang_/100558239-244769-tu2shiyongqinaerjiguandewenyaqi.png" alt="" /></center> <p align="center"><strong>使用齐纳二极管的稳压器</strong></p> <p><strong>电压容差</strong><br /> Nexperia针对1.8 V到75 V范围的多种不同电压制造了齐纳二极管,并在规定的反向电流下测试了保证容差。标准容差为B-selection ±2%和C-selection ±5%左右。为满足更高精度要求,Nexperia最近推出了<a href="https://www.nexperia.com/products/diodes/family/A-SELECTION-ZENER-DIODES/#/p=1,s=0,f=,c=,rpp=,fs=0,sc=,so=,es=">A-selection齐纳二极管的广泛产品组合</a>,容差为±1%。</p> <p>要全面了解齐纳二极管的更多信息,您可以下载并阅读应用笔记:<a href="https://assets.nexperia.com/documents/application-note/AN90031.pdf">AN90031齐纳二极管 - 物理基础知识、参数及应用示例。 </a> </p> <p><strong>关于作者</strong><br /> <strong>Reza Behtash</strong><br /> 1999年,Reza在汉堡工业大学获得电气工程学学位。随后,他在位于乌尔姆的戴姆勒-克莱斯勒研究院担任研究员四年,从事GaN HEMT和MMIC的研究工作,后来从乌尔姆大学获得博士学位。在位于柏林的莱布尼茨联合会费迪南德布劳恩研究所和联合单片半导体公司(UMS)工作时,Reza继续从事功率放大器的GaN技术研究。过去八年,作为Nexperia汉堡应用营销团队的成员,他的工作重点是汽车应用中的分立式平面整流器和Trench肖特基整流器。</p> <p>文章来源:nexperia官网</p> </div> </div> </div> <!-- This file is not used by Drupal core, which uses theme functions instead. See http://api.drupal.org/api/function/theme_field/7 for details. After copying this file to your theme's folder and customizing it, remove this HTML comment. --> <ul class="list-inline"> <li> <a href="/tag/齐纳二极管"><span class='glyphicon glyphicon-tag'></span> 齐纳二极管</a> </li> </ul> Thu, 03 Mar 2022 07:26:58 +0000 judy 100558239 at //www.jhzyg.net //www.jhzyg.net/content/2022/100558239.html#comments Nexperia推出全系列低电流稳压器二极管 //www.jhzyg.net/content/2022/100557427.html <!-- This file is not used by Drupal core, which uses theme functions instead. See http://api.drupal.org/api/function/theme_field/7 for details. After copying this file to your theme's folder and customizing it, remove this HTML comment. --> <div class="field field-name-body field-type-text-with-summary field-label-hidden"> <div class="field-items"> <div class="field-item even"><p><em>全系列产品涵盖从1.8V至75V的各种应用</em></p><p>基础半导体元器件领域的高产能生产专家<a href="https://www.nexperia.com/">Nexperia</a>今日宣布推出全系列低电流稳压器二极管。50µA齐纳二极管系列提供3种不同的表贴(SMD)封装选项,采用超小型分立式扁平无引脚(DFN)封装以及符合AEC-Q101标准的器件,为客户提供了更多选择和灵活性。这些高效率二极管在低测试电流(50μA)下的性能,非常适合移动、可穿戴、汽车和工业应用中的低偏置电流和便携式电池供电设备。</p><p style="text-align:center"><img src="/files/ueditor/108/upload/image/20220127/1643266421136929.jpg" title="1643266421136929.jpg" alt="齐纳二极管.jpg" /></p><p>Nexperia产品经理Paula Stümer表示:“DFN1006BD-2封装器件配有侧边可湿锡焊盘(SWF),解决了尺寸、性能及耐受性等多方面问题,应用范围广泛,我们提供各种采用DFN技术的50μA齐纳二极管产品组合,支持1.8V至75V的宽电压范围。这些器件也可以采用引脚SMD封装,供客户灵活选择。”</p><p>每种封装选项都有40种新类型,标称工作电压范围为1.8V至75V,该系列提供SOT23 (BZX8450)、SOD323 (BZX38450)和SOD523 (BZX58550)超薄型表贴封装,以及无引脚DFN1006BD-2 (BZX8850S)封装。齐纳二极管的非重复反向峰值功耗≤40 W,总功耗≤300 mW,动态电阻低。齐纳二极管还可提供Q产品组合,符合AEC-Q101和ISO/TS16949汽车质量标准。越来越多的非汽车应用需要额外的质量相关服务,例如PPAP(生产零件批准过程)以及更长的供货计划,而上述Q产品组合器件能够满足这些需求。</p><p>DFN紧凑型封装尺寸 (1.0 mm x 0.6 mm x 0.47 mm),适合替代PCB上的大尺寸有引脚封装,可节省多达60%的空间。该器件配具有侧边可湿锡焊盘(SWF),可确保在PCB上焊接时,焊料沿芯片侧面流动。该技术支持自动光学检测(AOI),确保满足汽车行业的高安全性和可靠性质量要求。DFN封装齐纳二极管的P(tot)值较高,运行温度比有引脚器件低,因此可提高系统可靠性。</p><p>Nexperia继续在开发新技术和提高内部产能方面加大投入。50µA齐纳二极管现可提供样品,并已投入大批量生产。有关更多信息,包括产品规格和数据手册,请访问:<a href="http://www.nexperia.com/50-microA-zener">www.nexperia.com/50-microA-zener</a></p><p><strong>关于Nexperia</strong></p><p>Nexperia,作为生产大批量基础半导体器件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付1000多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。</p><p>凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001认证。</p></div> </div> </div> <!-- This file is not used by Drupal core, which uses theme functions instead. 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