三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块
judy-- 周三, 06/12/2024 - 14:30新的低电流模块,适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统,适用不同功率要求的大型工业设备
新的低电流模块,适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统,适用不同功率要求的大型工业设备
PAM可用于32T32R mMIMO天线,以降低5G mMIMO基站的生产成本和功耗,随着5G网络从城市中心向偏远地区的扩展,预计PAM将得到越来越多地部署
三菱电机的新型DFB-CAN的紧凑封装包含了一个DFB激光芯片和一个波长监测芯片。通过改进DFB激光芯片中用于温度控制的热交换元件并优化散热设计,实现了仅1W的低功耗。
三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品
六种紧凑型T-PM及模块阵容将为xEV带来更小、更高效的逆变器
三菱电机集团近日宣布,将与Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系,共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体
本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。
三菱电机将开始为5G mMIMO基站提供GaN功率放大器模块的样品,该模块可在3.4GHz至3.8GHz的宽频段范围内提供8W的平均输出功率
三菱电机集团近日宣布,已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology,今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓功率半导体
三菱电机开发出首款使用单个放大器即可覆盖3400MHz频段的氮化镓(GaN)功率放大器。该技术已被证明可用于在单个基站中以不同频率运行的4G、5G和Beyond 5G/6G通信系统。