MOSFET

DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空间受限的应用中节省电力并简化散热管理

豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

TCK42xG系列现在允许用户从10V和5.6V这两种类型的栅源电压中进行选择，这覆盖了更多规格的MOSFET。凭借输入过电压锁定功能的多种检测电压，该产品能用于5V至24V的电源线路。

PowerDI®8080-5 封装的首款产品为 DMTH4M70SPGWQ，在 10V 闸极驱动下，此款符合汽车规格的 40V MOSFET 典型 RDS(ON) 仅为 0.54mΩ，闸极电荷为 117nC。

意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)

TOLL封装的尺寸仅为9.90 mm x 11.68 mm，比D2PAK封装的PCB面积节省30%。而且，它的外形只有2.30 mm，比D2PAK封装的体积小60%。

东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z产品，它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源。

俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。

与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。