东芝

在查看来自东芝的光耦时，你通常会发现物料编号的末尾带有后缀“TP”和“SE”（例如TLP291(GB-TP,SE），而这并未体现在规格书中。

新开发的双栅极RC-IEGT结合栅极控制技术，关断和导通损耗分别比传统单栅极结构降低24%和18%，反向恢复损耗降低32%。因此，实际测量值中总开关损耗降低24%，而导通损耗没有任何增加。

这次新的合作安排源于两家公司都希望将东芝领先的解决方案推向更广泛的市场/应用中，包括汽车、工业、物联网、运动控制、电信、网络、消费者和白色家电应用。

东芝推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品---“TCK421G”。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压（基于输入电压），同时具备过压锁定功能。

新器件内置高电压MOSFET，输出耐压可达1500V（最小值）。

新产品配有东芝开发的高发光效率LED，最大触发LED电流为2mA。这比当前产品低33%左右，因而支持较低的输入功率。缩短开关时间的特性可确保更快的运行：TLP223GA为50%，TLP223J为75%。

东芝推出TCK12xBG系列负载开关IC，可支持极低的静态电流[1]以及1A的额定输出电流。该系列IC采用紧凑型WCSP4G封装，可支持产品开发人员设计创新功耗更低、电池续航能力更强的新一代可穿戴设备与IOT设备。

新产品在不改变目前正在量产中的能量型电池的尺寸的前提下，提高了电池的高倍率充放电功率性能，对于已经使用能量型“SCiB™”电池的客户，利用现有的模块/电池组设计即可进行升级。