Ampleon推出B11G3338N80D推挽式3级全集成Doherty射频晶体管

judy — Fri, 25 Feb 2022 02:29:21 +0000

埃赋隆半导体（Ampleon）利用先进的LDMOS晶体管技术，推出了B11G3338N80D推挽式3级全集成Doherty射频晶体管——该晶体管是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有6GHz以下频段。这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的宏基站。

该驱动器产品系列采用PQFN 12×7mm²封装，集成了主路和辅路器件、输入功分器、输出功率合成器和每个部分的预匹配。器件的推挽式配置无需级间隔离器，集成的前置和后置匹配可实现50Ω的输入阻抗和25Ω的输出阻抗。

B11G3338N80D的集成度显著简化了设计流程，降低了BOM成本并确保了可靠性和体积一致性。面向6GHz以下频段的小尺寸引脚对引脚兼容封装，最大限度地减少了版图设计工作，这对于当今空间受限的应用至关重要。

Doherty晶体管通常可在12dB功率回退时提供22%的漏极效率，并在引用的测试条件下提供34dB的功率增益。此外，该设计还集成了ESD保护和偏置栅极开关。

该产品数据手册，以及应用笔记和参考版图设计，可在Ampleon网站的B11G3338N80D页面上找到。

关于埃赋隆半导体（Ampleon）：

埃赋隆半导体创立于2015年，在射频功率领域拥有50年的领导地位。本公司通过基于先进LDMOS和GaN技术的高频应用创新，让世界变得更美好。埃赋隆半导体在全球拥有超过1,600名员工，致力通过密切的合作伙伴关系、创新和出色的执行，使客户能够成功地使用射频电源产品。其创新而又一致的产品组合，4G LTE和5G NR基础设施、工业、科学、医疗、广播、航空航天和国防应用。欲了解更多有关该射频功率领域全球领先合作伙伴的详细信息，请访问 www.ampleon.com。

Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管

judy — Thu, 24 Feb 2022 06:48:13 +0000

频率覆盖范围广并且具有高效率和高线性度

埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度器件是我们最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT工艺的首发产品。

这些器件提供了低偏置下的宽带高线性度特性，从而提高了宽带线性度水平（在5dB时三阶互调低于-32dBc；在2:1带宽上从饱和功率回退8dB时则低于-42dBc）。宽带线性对于当今国防电子设备中所部署的频率捷变无线电至关重要，后者用于处理多模通信波形（从FM信号一直到高阶QAM信号）并同时应用对抗信道的情况。这些要求苛刻的应用需要晶体管本身具有更好的宽带线性度。根据市场反馈，埃赋隆半导体的第3代GaN-on-SiC HEMT晶体管可满足这些扩展的宽带线性度要求。

此外，这两款第3代晶体管还采用了增强散热封装以实现可靠运行，并为30W器件提供高达15:1的极耐用的VSWR耐受能力。该耐用性还可扩展到A类放大器工作模式。这在具有饱和栅极条件下，同时要在扩展频率范围内在宽动态范围内保持线性度的仪器应用中很常见。埃赋隆半导体的第3代GaN-on-SiC HEMT晶体管为宽带应用的高线性GaN技术设立了新标准，同时保持了出色的散热性能和耐用性。

欲了解有关埃赋隆半导体最新50V第3代GaN-on-SiC射频功率晶体管的更多信息，敬请访问：CLF3H0060(S)-30、CLF3H0035(S)-100。

这些晶体管可直接从埃赋隆半导体或其授权分销商RFMW和得捷电子（Digi-Key）购买。采用ADS和MWO的大信号模型可从埃赋隆半导体的网站下载。

关于埃赋隆半导体（Ampleon）：

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Ampleon推出B11G3338N80D推挽式3级全集成Doherty射频晶体管

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