保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
judy -- 周二, 06/07/2022 - 11:26功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意。从统计的角度来看,单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而,在处理成千上万个MOSFET时,极小的故障都可能带来极大的影响。
功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意。从统计的角度来看,单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而,在处理成千上万个MOSFET时,极小的故障都可能带来极大的影响。
DF2B6M4BSL的总电容仅为0.15pF(最大值),是东芝当前所能提供的最小电容,较东芝的现有产品DF2B6M4ASL降低了大约25%。
将积层贴片压敏电阻、齐纳二极管等ESD保护元件安装在ESD发生源附近可有效地应对ESD。然而,ESD的侵入路径很难确定,这就导致了所安装的ESD保护元件没有发挥其原有实力的情况时常发生。