ESD

保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意。从统计的角度来看,单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而,在处理成千上万个MOSFET时,极小的故障都可能带来极大的影响。

东芝推出超低电容TVS二极管,可保护物联网设备高频天线免受ESD侵扰

DF2B6M4BSL的总电容仅为0.15pF(最大值),是东芝当前所能提供的最小电容,较东芝的现有产品DF2B6M4ASL降低了大约25%。

如何在ESD发生源附近配置保护元件? 静电可视化助您一臂之力!

将积层贴片压敏电阻、齐纳二极管等ESD保护元件安装在ESD发生源附近可有效地应对ESD。然而,ESD的侵入路径很难确定,这就导致了所安装的ESD保护元件没有发挥其原有实力的情况时常发生。

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